Samsung công bố chip nhớ di động hiệu năng cao

Samsung vừa công bố chip nhớ DRAM di động có tốc độ siêu cao với cấu trúc mạch nhỏ gọn nhất của công ty từ trước cho đến nay.

Theo Young-Hyun Jun, phó chủ tịch bộ phận kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics, cho biết: "Bằng cách cung cấp chip nhớ di động hiệu quả nhất với dung lượng lớn, chúng tôi đang mang đến cho các đối tác OEM trong việc giới thiệu các sản phẩm hiệu quả nhất trên thị trường".

Các thiết bị di động cao cấp sẽ được trang bị RAM đến 4GB.

Chip nhớ DRAM dành cho thiết bị di động của Samsung cung cấp hiệu năng xử lý công việc lên đến 2,1 Gbps, cho phép nó có thể truyền tải 3 video Full-HD có kích thước 17 GB chỉ trong vòng 1 giây.

Tốc độ truyền tải của chip nhớ LPDDR3 DRAM này được phát triển dựa trên quy trình sản xuất 20 nm. Hiệu năng làm việc này của chip nhớ DRAM cao hơn gấp đôi so với chip nhớ DRAM tiêu chuẩn trước đây là LPDDR2, vốn chỉ cung cấp tốc độ truyền tải tối đa lên đến 800 Mbps mà thôi.

Samsung cho biết, chip nhớ DRAM LPDDR3 di động mới cho phép hiển thị các nội dung video Full HD một cách mượt mà trên smartphone có màn hình 5 inch hoặc lớn hơn. So với một chip DRAM LPDDR3 30nm, chip DRAM mới cung cấp khả năng cải thiện 30% về hiệu suất xử lý công việc và tiết kiệm 20% lượng điện năng tiêu thụ.

Quy trình công nghệ 20nm cũng cung cấp cho các thiết bị di động bộ nhớ trong 2 GB bằng cách kết hợp 4 chip có bộ nhớ 512 MB lại với nhau, mỏng 0,8mm.