Chip V-NAND 3D làm tăng dung lượng nhớ lên 2 lần

Sau khi sản xuất thử nghiệm thành công, Samsung cho biết họ vừa bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ flash loại Vertical NAND (V-NAND) 3D đầu tiên trên thế giới.

Loại V-NAND 3D được hứa hẹn sẽ phá vỡ giới hạn dung lượng nhớ phổ biến hiện tại của công nghệ flash NAND.

Với cùng kích cỡ như một chip NAND, chip V-NAND 3D cho dung lượng lưu trữ cao gấp đôi, tức mỗi chip có chứa 128 Gigabit hay 16 Gigabyte dữ liệu. Dự kiến, chip V-NAND 3D sẽ được sử dụng cho hàng loạt các thiết bị điện tử, tiêu dùng và trong doanh nghiệp, bao gồm cả các bộ lưu trữ chip nhúng NAND và ổ cứng SSD.

Theo tài liệu của nhà sản xuất (Samsung), Chip V-NAND 3D hoạt động độ ổn định cao hơn từ 2 đến 10 lần, tốc độ ghi nhanh hơn gấp 2 lần so với các chip thế hệ chip cũ.

Theo nhận định của giới chuyên gia, với bước tiến đột phá này, Samsung có thể xếp chồng tới 24 lớp bộ nhớ 16GB trong một chip mà không gây ảnh hưởng nhiều tới kích cỡ và sẽ cho ra những chip đơn trên smartphone với dung lượng nhớ tới 384GB. Qua đó, Samsung có nhiều hy vọng thành công và tạo được đột phá khác biệt so với các đối thủ, bởi người dùng smartphone đang có xu hướng dùng nội dung số như nhạc, phim HD... tốn nhiều dung lượng bộ nhớ.